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课程目录
- 1.2.1]--1.1.1晶体的基本特点.mp4
- [1.3.1]--1.1.2原子的周期性阵列.mp4
- [1.4.1]--1.1.3点阵的基本类型.mp4
- [1.5.1]--1.1.4晶面指数系统.mp4
- [1.6.1]--1.1.5常见晶体结构范例.mp4
- [1.8.1]--1.2.1倒易点阵.mp4
- [1.9.1]--1.2.2布里渊区.mp4
- [1.10.1]--1.2.3倒易点阵的范例.mp4
- [1.12.1]--1.3.1一维情况下的能级和轨道密度.mp4
- [1.13.1]--1.3.2温度对费米－狄喇克分布的影响.mp4
- [1.14.1]--1.3.3三维情况下的自由电子气.mp4
- [1.16.1]--1.4.1布喇格定律.mp4
- [1.17.1]--1.4.2近自由电子模型.mp4
- [1.18.1]--1.4.3能隙的起因.mp4
- [1.19.1]--1.4.4布洛赫函数.mp4
- [1.20.1]--1.4.5克朗尼格－朋奈模型.mp4
- [1.21.1]--1.4.6能带中轨道的数目.mp4
- [1.23.1]--1.5.1能带隙.mp4
- [1.24.1]--1.5.2重要半导体材料Si单晶的介绍.mp4
- [2.2.1]--2.1.1半导体中E-k的关系.mp4
- [2.3.1]--2.1.2半导体中电子的平均速度.mp4
- [2.4.1]--2.1.3半导体中电子的加速度.mp4
- [2.5.1]--2.1.4有效质量的意义.mp4
- [2.7.1]--2.2.1空穴.mp4
- [2.8.1]--2.2.2本征半导体的导电机构.mp4
- [2.10.1]--2.3.1一般情况下的等能面方程.mp4
- [2.12.1]--2.4.1硅的能带结构.mp4
- [2.13.1]--2.4.2锗的能带结构.mp4
- [2.14.1]--2.4.3能带结构与温度的关系.mp4
- [3.2.1]--3.1.1替位式杂质和间隙式杂质.mp4
- [3.3.1]--3.1.2施主杂质_施主能级_受主杂质_受主能级.mp4
- [3.4.1]--3.1.3杂质浅能级电离能的简单计算.mp4
- [3.5.1]--3.1.4杂质的补偿作用.mp4
- [3.6.1]--3.1.5深能级杂质.mp4
- [3.8.1]--3.2.1GaAs中的杂质.mp4
- [3.10.1]--3.3.1点缺陷.mp4
- [3.11.1]--3.3.2线缺陷-位错.mp4
- [4.2.1]--4.1.1复习三维情况下的自由电子气.mp4
- [4.3.1]--4.1.2状（能）态密度的定义.mp4
- [4.4.1]--4.1.3状（能）态密度的汇总.mp4
- [4.6.1]--4.2.1费米分布函数f(E).mp4
- [4.7.1]--4.2.2导带电子和价带空穴浓度.mp4
- [4.9.1]--4.3.1本征载流子浓度ni.mp4
- [4.10.1]--4.3.2本征半导体的费米能级位置.mp4
- [4.12.1]--4.4.1非补偿情形（单一杂质）1.mp4
- [4.12.2]--4.4.1非补偿情形（单一杂质）2.mp4
- [4.14.1]--4.5.1简并的出现.mp4
- [4.15.1]--4.5.2简并半导体的载流子浓度.mp4
- [4.16.1]--4.5.3简并化条件.mp4
- [4.17.1]--4.5.4简并时杂质的电离.mp4
- [5.2.1]--5.1.1电导的微观理论.mp4
- [5.3.1]--5.1.2半导体的电导率和迁移率.mp4
- [5.5.1]--5.2.1散射几率_平均自由时间及其与迁移率的关系.mp4
- [5.6.1]--5.2.2载流子的主要散射机制.mp4
- [5.8.1]--5.3.1迁移率与杂质浓度和温度的关系.mp4
- [5.9.1]--5.3.2电阻率与杂质浓度的关系.mp4
- [5.11.1]--5.4.1欧姆定律的偏离和热载流子.mp4
- [6.2.1]--6.1.1非平衡载流子的产生.mp4
- [6.3.1]--6.1.2附加光电导现象.mp4
- [6.4.1]--6.1.3非平衡载流子的复合.mp4
- [6.5.1]--6.1.4非平衡载流子的产生.mp4
- [6.7.1]--6.2.1准平衡.mp4
- [6.8.1]--6.2.2准费米能级.mp4
- [6.10.1]--6.3.1复合的分类.mp4
- [6.11.1]--6.3.2直接复合.mp4
- [6.12.1]--6.3.3间接复合.mp4
- [6.13.1]--6.3.4表面复合.mp4
- [6.15.1]--6.4.1陷阱现象.mp4
- [6.16.1]--6.4.2成为陷阱的条件.mp4
- [6.18.1]--6.5.1一维扩散方程.mp4
- [6.19.1]--6.5.2一维扩散方程的稳态解.mp4
- [6.20.1]--6.5.3扩散电流.mp4
- [6.22.1]--6.6.1浓度梯度引起的自建电场.mp4
- [6.23.1]--6.6.2爱因斯坦关系.mp4
- [6.25.1]--6.7.1连续性方程.mp4
- [6.26.1]--6.7.2连续性方程的特例情况.mp4
- [7.2.1]--7.1.1p-n结的形成及杂质分布.mp4
- [7.3.1]--7.1.2空间电荷区.mp4
- [7.4.1]--7.1.3平衡p-n结能带图.mp4
- [7.5.1]--7.1.4p-n结接触电势差.mp4
- [7.6.1]--7.1.5p-n结的载流子分布.mp4
- [7.8.1]--7.2.1p-n结中的电场和电势分布.mp4
- [7.9.1]--7.2.2非平衡p-n结的能带图.mp4
- [7.10.1]--7.2.3理想p-n结的J-V关系.mp4
- [7.11.1]--7.2.4理想p-n结J-V关系的特性.mp4
- [7.12.1]--7.2.5理想p-n结J-V关系的修正.mp4
- [7.14.1]--7.3.1势垒电容.mp4
- [7.15.1]--7.3.2扩散电容_(正向偏压).mp4
- [7.17.1]--7.4.1雪崩击穿.mp4
- [7.18.1]--7.4.2齐纳击穿（隧道击穿）.mp4
- [7.20.1]--7.5.1Esaki_二极管.mp4
- [8.2.1]--8.1.1功函数和电子亲合能.mp4
- [8.3.1]--8.1.2接触电势差.mp4
- [8.4.1]--8.1.3表面态对接触势垒的影响.mp4
- [8.5.1]--8.1.4势垒区的电势分布.mp4
- [8.6.1]--8.1.5肖特基接触的势垒电容.mp4
- [8.8.1]--8.2.1热电子发射理论.mp4
- [8.9.1]--8.2.2镜像力影响.mp4
- [8.10.1]--8.2.3隧道效应影响.mp4
- [8.11.1]--8.2.4pn结和肖特基势垒二极管.mp4
- [8.13.1]--8.3.1少子注入.mp4
- [8.14.1]--8.3.2欧姆接触.mp4
- [9.1.1]--9.1晶体管的发明.mp4
- [9.2.1]--9.1.1晶体管的基本结构.mp4
- [9.3.1]--9.1.2制造工艺.mp4
- [9.4.1]--9.1.3杂质分布.mp4
- [9.6.1]--9.2.1放大条件.mp4
- [9.7.1]--9.2.2电流传输.mp4
- [9.8.1]--9.2.3共基极电流放大系数.mp4
- [9.9.1]--9.2.4共射极电流放大系数.mp4
- [9.11.1]--9.3.1晶体管中的少子分布.mp4
- [9.12.1]--9.3.2理想晶体管的电流-电压方程.mp4
- [9.13.1]--9.3.3放大系数表达式.mp4
- [9.14.1]--9.3.4理想晶体管的输入、输出特性.mp4
- [9.15.1]--9.3.5晶体管的非理想现象.mp4
- [9.16.1]--9.3.6实际晶体管的输入、输出特性.mp4
- [9.18.1]--9.4.1晶体管的反向电流.mp4
- [9.19.1]--9.4.2晶体管的反向击穿电压.mp4
- [9.20.1]--9.4.3晶体管穿通电压.mp4
- [9.22.1]--9.5.1Ebers-Moll方程.mp4
- [9.23.1]--9.5.2实际晶体管模型.mp4
- [9.25.1]--9.6.1晶体管的放大作用.mp4
- [9.26.1]--9.6.2低频交流小信号等效电路.mp4
- [9.27.1]--9.6.3放大系数的频率特性.mp4
- [9.29.1]--9.7.1晶体管的开关作用.mp4
- [9.30.1]--9.7.2晶体管开关时间.mp4
- [10.2.1]--10.1.1表面的特殊性.mp4
- [10.3.1]--10.1.2理想表面.mp4
- [10.4.1]--10.1.3真实表面.mp4
- [10.6.1]--10.2.1空间电荷层.mp4
- [10.7.1]--10.2.2空间电荷层中的泊松方程.mp4
- [10.8.1]--10.2.3半导体表面电场_电势和电容.mp4
- [10.9.1]--10.2.4半导体表面层的五种基本状态.mp4
- [10.11.1]--10.3.1Si-SiO2系统中的电荷状态.mp4
- [10.13.1]--10.4.1MIS电容结构的能带图.mp4
- [10.14.1]--10.4.2理想MIS电容的C－V特性1.mp4
- [10.14.2]--10.4.2理想MIS电容的C－V特性2.mp4
- [10.15.1]--10.4.3实际MIS电容的C－V特性.mp4
- [10.17.1]--10.5.1表面电导.mp4
- [11.2.1]--11.1.1MOSFET的结构.mp4
- [11.3.1]--11.1.2MOSFET简介.mp4
- [11.4.1]--11.1.3MOSFET的基本工作原理.mp4
- [11.5.1]--11.1.4MOSFET的分类和符号.mp4
- [11.6.1]--11.1.5MOSFET的输出特性和转移特性.mp4
- [11.8.1]--11.2.1半导体的表面状态.mp4
- [11.9.1]--11.2.2阈值电压的表达式.mp4
- [11.10.1]--11.2.3影响VT的因素.mp4
- [12.2.1]--12.1.1MOSFET非平衡时的能带图.mp4
- [12.3.1]--12.1.2IDS~VDS的关系.mp4
- [12.4.1]--12.1.3MOSFET的亚阈值特性.mp4
- [12.5.1]--12.1.4MOSFET直流参数.mp4
- [12.6.1]--12.1.5MOSFET的二级效应.mp4
- [12.7.1]--12.1.6击穿特性.mp4
- [12.9.1]--12.2.1交流小信号等效电路.mp4
- [12.10.1]--12.2.2高频特性.mp4
- [12.12.1]--12.3.1电阻型负载MOS倒相器.mp4
- [12.13.1]--12.3.2增强型-增强型MOS倒相器（E-EMOS）.mp4
- [12.14.1]--12.3.3增强型-耗尽型MOS倒相器（E-DMOS）.mp4
- [12.15.1]--12.3.4互补MOS倒相器（CMOS）.mp4
- [12.17.1]--12.4.1按比例缩小规律概述.mp4
- [12.18.1]--12.4.2MOSFET的scaling规则.mp4
给芯片工程师的硬核知识库：复旦大学半导体器件原理深度解析
最近在整理复旦微电子方向的课程资料时，发现这门《半导体器件原理》上海市精品课真是干货密度超高！作为国内顶尖高校的核心专业课程，完整覆盖了从基础pn结到量子阱激光器的全链条知识。
为什么要学这门课？
身边在SMIC工作的师兄说，他们面试芯片工艺工程师时，MOSFET的阈值电压计算和双极型晶体管开关特性是必考题。这门课60个学时把器件物理讲得特别透彻，还配有复旦微电子系特有的工艺仿真实验。
知识模块全景图
课程从三个维度构建知识体系：首先是半导体物理基础复习，重点强化载流子输运方程；然后深入到BJT和MOSFET两大核心器件，最后拓展到微波器件等前沿应用。
核心内容精要
第二单元的双极型晶体管部分会重点讲明白三个特性：
- 直流特性：从埃伯斯-莫尔模型推导电流放大系数
- 频率限制：详细分析基区渡越时间对fT的影响
- 开关过程：存储电荷效应对数字电路速度的限制
MOS器件章节最烧脑也最实用，特别是阈值电压公式推导那部分。老师会结合TSMC的28nm工艺实例，讲解氧化物电荷对Vth的实际影响。
特色教学环节
课程最大的亮点是每次讲到小尺寸效应时，都会同步演示TCAD仿真软件结果。看着沟道长度从1μm缩小到28nm时器件特性的变化，比纯理论生动太多。
知识体系架构
完整课程分为7个渐进式模块：
- 器件发展简史（3学时）从点接触晶体管到FinFET演进史
- 物理基础强化（6学时）重点复习费米能级和载流子统计
- PN结精讲（9学时）包含突变结/线性缓变结的对比
- 双极型晶体管（18学时）涵盖埃伯斯-莫尔模型的推导
- MOS家族全解（15学时）从长沟道理论到短沟道效应
- 新型器件探秘（6学时）包括HEMT器件的工作机理
- 期末专题研讨（3学时）分组报告器件领域最新论文
记得课程最后有个开放性作业特别有意思：根据给定的I-V曲线反推器件参数，完全是模拟实际研发中debug的场景。
这门课虽然需要先修半导体物理，但讲课老师特别擅长用能带图来可视化抽象概念。建议搭配《半导体制造技术》一起学习，对理解器件工艺-性能关联特别有帮助。
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