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课程目录
- 1.1.1 微电子工艺是讲什么的？
- 1.2.1 微电子工艺的发展历程如何？
- 1.3.1 微电子工艺有什么特点？
- 1.4.1 单晶硅特性（上）
- 1.4.2 单晶硅特性（中）
- 1.4.3 单晶硅特性（下）
- 2.1.1 多晶硅制备；1.2单晶生长-CZ法
- 2.2.1 单晶生长-原理
- 2.3.1 单晶生长-掺杂
- 2.4.1 单晶生长-MCZ与FZ法
- 2.5.1 硅片的加工
- 2.5.2 硅片介绍
- 3.1.1 外延概述
- 3.2.1 气相外延-1硅工艺
- 3.2.2 气相外延-2原理
- 3.2.3 气相外延-3速率
- 3.2.4 气相外延-4掺杂
- 3.2.5 气相外延-5设备与技术
- 3.3.1 分子束外延
- 3.4.1 其它外延方法
- 3.5.1 外延层缺陷及检测
- 3.5.2 电阻率测量
- 4.1.1 概述-1性质与用途
- 4.1.2 概述-2杂质与掩蔽
- 4.2.1 硅热氧化-1工艺
- 4.2.2 硅的热氧化-2机理
- 4.2.3 硅的热氧化-3DG模型
- 4.2.4 硅的热氧化-4速率
- 4.2.5 硅热氧化-5影响因素
- 4.3.1 初始氧化
- 4.4.1 杂质再分布-1分凝
- 4.4.2 杂质再分布-2硅表面浓度
- 4.5.1 氧化层检测-1厚度
- 4.5.2 氧化层检测-2成膜质量
- 4.5.3 氧化层厚度估测实验
- 4.6.1 其它氧化方法
- 5.1.1 扩散机构
- 5.2.1 扩散方程-1菲克定律
- 5.2.2 扩散方程-2扩散系数
- 5.3.1 扩散掺杂-1恒定源
- 5.3.2 扩散掺杂-2限定源
- 5.4.1 影响杂质分布因素-1点缺陷
- 5.4.2 影响杂质分布因素-2氧化增强
- 5.4.3 影响杂质分布因素-3发射区推进
- 5.5.1 扩散条件与方法-1方法选择
- 5.5.2 扩散条件与方法-2扩散工艺
- 5.6.1 质检与测量-1结深
- 5.6.2 质检与测量-2表面浓度
- 5.6.3 pn结结深测量实验
- 5.7.1 扩散工艺的发展
- 6.1.1 离子注入概述
- 6.2.1 离子注入原理-1
- 6.2.2 离子注入原理-2
- 6.2.3 离子注入原理-3
- 6.3.1 注入离子分布-1,2分布
- 6.3.2 注入离子分布-3沟道效应
- 6.3.3 注入离子分布-4其它影响
- 6.4.1 注入损伤-1
- 6.4.2 注入损伤-2
- 6.5.1 退火-1热退火
- 6.5.2 退火-2快速退火
- 6.6.1 设备与工艺
- 6.7.1 应用
- 6.8.1 掺杂新技术
- 7.1.1 CVD概述
- 7.2.1 CVD原理-1过程
- 7.2.2 CVD原理-2速率
- 7.2.3 CVD原理-3质量
- 7.3.1 CVD工艺方法-1AP-2LP
- 7.3.2 CVD工艺方法-3等离子体(上）
- 7.3.3 CVD工艺方法-3等离子体(下）
- 7.3.4 CVD工艺方法-4PE-5HDP
- 7.4.1 二氧化硅薄膜-1性质
- 7.4.2 二氧化硅薄膜-2制备
- 7.5.1 氮化硅薄膜
- 7.6.1 多晶硅薄膜
- 7.7.1 CVD金属及金属化合物薄膜
- 8.1.1 PVD-1概述
- 8.2.1 PVD-1真空简介
- 8.2.2 PVD-2真空的获得
- 8.3.1 蒸镀-1原理
- 8.3.2 蒸镀-2设备、工艺
- 8.3.3 蒸镀-3质量
- 8.4.1 溅射-1原理
- 8.4.2 溅射-2方法
- 8.4.3 溅射-3质量
- 8.5.1 PVD金属及化合物薄膜
- 9.1.1 光刻概述
- 9.2.1 光刻 02--光刻技术 xiugaizhonggao
- 9.3.1 光刻掩膜板制造技术
- 9.4.1 光刻 8.3.2--光刻胶
- 9.5.1 光刻 8.3.3--紫外曝光技术
- 9.6.1 光刻 8.3.4 --光刻增强技术
- 9.7.1 其它曝光技术
- 9.7.2 其它曝光技术(2)
- 9.8.1 光刻新技术展望
- 10.1.1 刻蚀技术--概述
- 10.2.1 湿法刻蚀技术
- 10.3.1 刻蚀技术-- 干法刻蚀技术
- 10.4.1 刻蚀技术-- SiO2薄膜的干法刻蚀技术
- 10.5.1 刻蚀技术-- 多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术
- 11.1.1 工艺集成--金属化与多层互连
- 11.2.1 工艺集成--金属化之尖楔现象
- 11.3.1 工艺集成--集成电路中的隔离技术
- 11.4.1 CMOS集成电路的工艺集成
- 11.5.1 双极型集成电路的工艺集成
微电子工艺课程（哈尔滨工业大学） - 芯片制造的奥秘与工艺解析
内容简介：哈尔滨工业大学《微电子工艺课程》带你揭秘现代科技核心——芯片制造的全流程。作为电子信息科学与技术、微电子科学与工程等专业的核心课程，本课程通过四大模块全面解析从硅片到集成电路的蜕变过程。课程特色在于理论实操结合，通过氧化炉、光刻机等设备参数解读还原真实晶圆厂场景。
为什么这门课值得学？
当你拆开智能手机，看到主板那些比指甲盖还小的芯片时，是否好奇它们如何承载数十亿晶体管？本课程的独特价值在于：
- 工艺全链路教学：覆盖外延生长到金属互连的完整工序
- 设备参数实操：详解ASML光刻机、应用材料刻蚀机等真实设备技术指标
- 产业视角解析：结合中芯国际、台积电等大厂最新工艺路线图
课程核心模块解析
模块一：芯片制造基础（120分钟）
从硅提纯讲到晶圆制备，重点解析12英寸晶圆与8英寸晶圆的成本差异。通过长江存储的3D NAND工艺案例，说明洁净度等级对良率的影响。
模块二：核心工艺技术（240分钟）
深度拆解7大关键工艺：热氧化中干氧与湿氧的选择、离子注入的能量控制要领、PECVD与LPCVD的应用场景对比。特别加入华为麒麟芯片的FinFET工艺实景演示。
课程特色亮点
虚实结合教学：通过VR设备模拟进入中芯国际无尘车间，在保证安全的前提下观察氧化炉运作。每个工艺环节配备哈工大微纳中心实验室的实测视频。
学习收获预期
完成课程后，学生能够：准确区分前道与后道工序；阅读TSMC工艺设计套件(PDK)文档；理解新闻中“5nm工艺”的真实含义；用专业术语解释手机芯片的制造难点。
适合人群
本课程特别适合：准备进入半导体制造企业的毕业生；电子相关专业研究生；对芯片制造有强烈兴趣的科技爱好者。不需要提前掌握量子力学等深奥理论，但需要具备大学物理基础。
与时俱进的内容设计
每季度更新国产替代案例，包括：北方华创刻蚀机与AMAT设备参数对比、上海微电子光刻机最新进展。新增章节讲解chiplet先进封装技术对传统工艺的挑战。
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